Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）

  • 发布日期：2024-04-25
  • 实施日期：2024-11-01
  • 状态：现行

国家标准《半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD）》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位山东有研半导体材料有限公司、浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司、金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司、中环领先半导体材料有限公司、广东天域半导体股份有限公司、鸿星科技（集团）股份有限公司。主要起草人王玥 、朱晓彤 、孙燕 、宁永铎 、徐新华 、徐国科 、李春阳 、张海英 、陈海婷 、丁雄杰 、郭正江 。

基础信息

  • 标准号：GB/T 43894.1-2024
  • 标准类别：方法
  • 发布日期：2024-04-25
  • 实施日期：2024-11-01
  • 部分代替标准：暂无
  • 全部代替标准：暂无
  • 中国标准分类号：H21
  • 国际标准分类号：77冶金77.040金属材料试验
  • 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
  • 执行单位：暂无
  • 主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

采标情况

暂无

起草单位

山东有研半导体材料有限公司

金瑞泓微电子（嘉兴）有限公司

广东天域半导体股份有限公司

浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司

中环领先半导体材料有限公司

鸿星科技（集团）股份有限公司

起草人

王玥

朱晓彤

徐新华

徐国科

陈海婷

丁雄杰

孙燕

宁永铎

李春阳

张海英

郭正江

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