半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法

Semiconductor device—Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices—Part 3: Test method for defects using photoluminescence

• 发布日期：2023-12-28
• 实施日期：2024-07-01
• 状态：现行

国家标准《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法》由TC203（全国半导体设备和材料标准化技术委员会）归口，TC203SC2（全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会）执行，主管部门为国家标准委。主要起草单位河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司。主要起草人芦伟立 、房玉龙 、李佳 、殷源 、丁雄杰 、张冉冉 、王健 、李丽霞 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、杨青 、刘立娜 、杨世兴 、马康夫 、钮应喜 、金向军 、尹志鹏 、刘薇 、陆敏 、周少丰 、林志阳 。

基础信息

• 标准号：GB/T 43493.3-2023
• 标准类别：方法
• 发布日期：2023-12-28
• 实施日期：2024-07-01
• 部分代替标准：暂无
• 全部代替标准：暂无

• 中国标准分类号：L90
• 国际标准分类号：31电子学31.080半导体分立器件31.080.99其他半导体分立器件
• 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
• 执行单位：暂无
• 主管部门：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会

采标情况

起草单位

起草人

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